Yarı saydam şerit lazerler kullanılarak külçenin iç kısmına hassas bir şekilde odaklanılmasıyla, çok foton etkisi yoluyla homojen bir modifikasyon tabakası oluşturulur ve bu da kontrol edilebilir mikro çatlak yayılımını tetikler. Bunu, alt tabakanın tamamen ayrılmasını sağlamak için ultrason destekli bir ayırma işlemi izler. Bu ekipman, SiC külçesinin kaldırılmasını ve yonga plakasının hassas inceltilmesini verimli bir şekilde tamamlayabilirken, GaN ve elmas gibi sert ve kırılgan kristal malzemelerin kaldırılmasıyla da uyumludur. Ultra düşük kaldırma kaybı, yüksek düzlük, mekanik gerilim olmaması ve yüksek seri üretim verimliliği özelliklerine sahip olması, onu geniş bant aralıklı yarı iletken güç cihazları için temel bir seri üretim ekipmanı haline getirmektedir.